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    山東化學(xué)化工學(xué)會(huì)

    8月材料領(lǐng)域重大進(jìn)展

    瀏覽次數(shù): 342   發(fā)布時(shí)間:2017-09-13 09:27:53   發(fā)布人:editor

       1、Nature: CeRhIn5材料量子臨界點(diǎn)附近電子平面對稱性破壞

     
      
     
     
     
      德國馬克斯-普朗克研究所P. J. W. Moll(通訊作者)等人報(bào)道了重費(fèi)米子超導(dǎo)體材料CeRhIn5向列相的波動(dòng)特性。在50T場調(diào)控的反鐵磁量子臨界點(diǎn)附近,重費(fèi)米子超導(dǎo)體材料CeRhIn5中出現(xiàn)電子向列相。平面對稱性的破壞與晶格關(guān)系較小,因在H*=28T時(shí)僅有極微小的磁致伸縮。重費(fèi)米子超導(dǎo)體向列相的出現(xiàn)顯示出其液晶特性和非傳統(tǒng)超導(dǎo)性之間的相互關(guān)系。
     
      文獻(xiàn)鏈接:Electronic in-plane symmetry breaking at field-tuned quantum criticality in CeRhIn5(Nature,2017,Doi:10.1038/nature23315)
     
      2、Nature: 用于模擬計(jì)算的納米NbO2莫特憶阻器的混沌動(dòng)力學(xué)
     
      
     
     
     
      美國惠普實(shí)驗(yàn)室Suhas Kumar和R. Stanley Williams(共同通訊作者)等人報(bào)道了納米級NbO2莫特憶阻器同時(shí)顯示出非線性激勵(lì)電流控制的負(fù)阻和可以用作電子開關(guān)的莫特晶體管驅(qū)動(dòng)溫度控制的金屬-絕緣體轉(zhuǎn)換的特性。將這種憶阻器并入Hopfield計(jì)算網(wǎng)絡(luò)可大幅度提高對復(fù)雜問題處理的計(jì)算效率和準(zhǔn)確性。
     
      文獻(xiàn)鏈接:Chaotic dynamics in nanoscale NbO2 Mott memristors for analogue computing(Nature,2017,Doi:10.1038/nature23307)
     
      3、Nature: 將分子束外延應(yīng)用于設(shè)計(jì)納米線量子器件
     
      
     
     
     
      荷蘭代爾夫特理工大學(xué)、埃因霍芬理工大學(xué)的Erik P. A. M. Bakkers(通訊作者)等人報(bào)道了一種自下而上合成單晶InSb納米線網(wǎng)絡(luò)的技術(shù),并特別關(guān)注具有預(yù)定義數(shù)量的超導(dǎo)島嶼的納米線網(wǎng)絡(luò)。結(jié)構(gòu)分析可證實(shí)納米線結(jié)高質(zhì)量的結(jié)晶度與外延超導(dǎo)體-半導(dǎo)體界面的存在。納米線“標(biāo)簽”的量子傳輸測量揭示的阿哈羅諾夫-玻姆效應(yīng)和弱-反定位效應(yīng),證實(shí)了具有強(qiáng)自旋軌道耦合的相位相干系統(tǒng)。此外,在這種混合超導(dǎo)-半導(dǎo)體納米線中,還表現(xiàn)出一種近端誘導(dǎo)的硬超導(dǎo)間隙,表明研究者成功開發(fā)了第一編織實(shí)驗(yàn)所需的材料。
     
      文獻(xiàn)鏈接:Epitaxy of advanced nanowire quantum devices(Nature, 2017,DOI: 10.1038/nature23468)
     
      材料牛資訊詳戳:Nature:將分子束外延應(yīng)用于設(shè)計(jì)納米線量子器件
     
      4、Nature: 近液氮溫度的單分子磁性存儲(chǔ)器合成
     
      
     
     
     
      曼徹斯特大學(xué)Nicholas F. Chilton和 David P. Mills(共同通訊作者)等人報(bào)道合成了一種新的復(fù)合物[Dy(Cpttt)2][B(C6F5)4], (Cpttt = {C5H2tBu3-1,2,4}, tBu = C(CH3)3),能實(shí)現(xiàn)在22 Oe/s磁場掃速下,高達(dá)60 K的溫度下出現(xiàn)磁滯現(xiàn)象。并通過研究該溫度下樣品的動(dòng)力學(xué)特征,表明磁滯現(xiàn)象源于局部金屬-配合基的振動(dòng)模式。計(jì)算自旋動(dòng)力學(xué)表明高溫下磁性弛豫源于局部的分子振動(dòng)。這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)一步證明,經(jīng)過精確的分子設(shè)計(jì),高于液氮溫度下在單分子上實(shí)現(xiàn)磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是可實(shí)現(xiàn)的。
     
      文獻(xiàn)鏈接:Molecular magnetic hysteresis at 60 kelvin in dysprosocenium(Nature,2017,Doi:10.1038/nature23447)
     
      材料牛資訊詳戳:Nature重磅:近液氮溫度的單分子磁性存儲(chǔ)器合成!
     
      5、Nature: 利用MoS2納米片打造電化學(xué)致動(dòng)器
     
      
     
     
     
      羅格斯大學(xué)Manish Chhowalla(通訊作者)等人報(bào)道了關(guān)于致動(dòng)器的最新研究成果,研究發(fā)現(xiàn)通過在塑料薄膜基底上堆疊二維MoS2納米片,基體能表現(xiàn)出很強(qiáng)的機(jī)械作用力,從而實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)可伸縮電極薄膜。這種薄膜可以承受其自身150倍的重量,并且使用循環(huán)特性好,在幾毫米的作用范圍可以實(shí)現(xiàn)上百次循環(huán)。值得一提的是,在運(yùn)行頻率達(dá)到1Hz時(shí),該MoS2薄膜能產(chǎn)生大約17 MPa的機(jī)械應(yīng)力,較哺乳動(dòng)物的肌肉所產(chǎn)生的(大約0.3 MPa)還要高,可與陶瓷基壓電致動(dòng)器相較(大約40 MPa),產(chǎn)生的應(yīng)變大約0.6%。同時(shí)致動(dòng)器的運(yùn)行主要源于MoS2納米片的高電導(dǎo)率和納米片間快速的質(zhì)子擴(kuò)散。該研究成果為高應(yīng)變和高頻應(yīng)用領(lǐng)域引入了一種全新的電化學(xué)致動(dòng)器。
     
      文獻(xiàn)鏈接:Metallic molybdenum disulfide nanosheet-based electrochemical actuators(Nature,2017,Doi:10.1038/nature23668)
     
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